HGTD3N60C3S9A

Fairchild Semiconductor

HGTD3N60C3S9A

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL IGBT

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge10.8 nC
EingangstypStandard
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Switching Energy85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition480V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 3A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max33 W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252, (D-Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)