HGT1S7N60A4DS

Fairchild Semiconductor

HGT1S7N60A4DS

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL IGBT

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge37 nC
EingangstypStandard
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)34 ns
Switching Energy55µJ (on), 60µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C11ns/100ns
Test Condition390V, 7A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 7A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)34 A
Current - Collector Pulsed (Icm)56 A
Power - Max125 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)