HGT1S3N60A4DS9A

Fairchild Semiconductor

HGT1S3N60A4DS9A

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL IGBT

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge21 nC
EingangstypStandard
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)29 ns
Switching Energy37µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C6ns/73ns
Test Condition390V, 3A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 3A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max70 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)