HGT1S2N120CN

Fairchild Semiconductor

HGT1S2N120CN

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL IGBT

ObsoletTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge30 nC
IGBT TypeNPT
EingangstypStandard
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Switching Energy96µJ (on), 355µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C25ns/205ns
Test Condition960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2.6A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)20 A
Power - Max104 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Hersteller-GehäuseTO-262

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)