HGT1S12N60C3DS

Fairchild Semiconductor

HGT1S12N60C3DS

Analog & Leistungselektronik

IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge71 nC
EingangstypStandard
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)96 A
Power - Max104 W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AB

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)