HGT1S12N60A4DS

Fairchild Semiconductor

HGT1S12N60A4DS

Analog & Leistungselektronik

IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge120 nC
EingangstypStandard
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
Switching Energy55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C17ns/96ns
Test Condition390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)96 A
Power - Max167 W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)