Allgemein
| Hersteller | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | ESBC™ |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1.5A, 6A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 750 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7 @ 3A, 5V |
| Power - Max | 60 W |
| Frequency - Transition | 15.4MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3PF |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
|---|