Allgemein
| Hersteller | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 3A, 4V |
| Power - Max | 80 W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|