Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Gate Charge | 60 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Eingangstyp | Standard |
| Hersteller | Fairchild Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/52ns |
| Test Condition | 200V, 20A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 70A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 330 V |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Power - Max | 30.5 W |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
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