Allgemein
| Gate Charge | 195 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Eingangstyp | Standard |
| Hersteller | Fairchild Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 50A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 300 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3PN |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~175°C(TJ) |
|---|