FDZ3N513ZT

Fairchild Semiconductor

FDZ3N513ZT

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP

Aktiv4-XFBGA, WLCSPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs462mOhm @ 300mA, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds85 pF @ 15 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5.5V, -300mV
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case4-XFBGA, WLCSP
Hersteller-Gehäuse4-WLCSP (1x1)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~125°C(TJ)