FDU6696

Fairchild Semiconductor

FDU6696

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1715 pF @ 15 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 50A (Tc)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta), 52W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hersteller-GehäuseI-PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)