FDP6676S

Fairchild Semiconductor

FDP6676S

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4853 pF @ 15 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Ta)
Max. Verlustleistung70W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)