FDMS86569-F085

Fairchild Semiconductor

FDMS86569-F085

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 65A POWER56

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 65A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2560 pF @ 30 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Max. Verlustleistung100W (Tj)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)