FDMS7672

Fairchild Semiconductor

FDMS7672

Analog & Leistungselektronik

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2960 pF @ 15 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 28A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 48W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePower56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)