FDMS7572S

Fairchild Semiconductor

FDMS7572S

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 23A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2780 pF @ 13 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®, SyncFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 49A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 46W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)