FDMS3616S

Fairchild Semiconductor

FDMS3616S

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8PQFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 16A, 10V
Basis-TeilenummerFDMS3616
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 13V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A, 18A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)