FDMS0346

Fairchild Semiconductor

FDMS0346

Analog & Leistungselektronik

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1625 pF @ 13 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 28A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 33W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePower56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)