FDMC7570S

Fairchild Semiconductor

FDMC7570S

Analog & Leistungselektronik

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4410 pF @ 13 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®, SyncFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 40A (Tc)
Max. Verlustleistung2.3W (Ta), 59W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePower33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)