FDM3300NZ

Fairchild Semiconductor

FDM3300NZ

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 10A POWER33

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 10A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDM3300
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1610pF @ 10V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max900mW

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePower33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)