FDM2509NZ

Fairchild Semiconductor

FDM2509NZ

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2

Obsolet6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDM2509
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.7A
Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseMicroFET 2x2 Thin

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)