FDD6676

Fairchild Semiconductor

FDD6676

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 16.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5103 pF @ 15 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C78A (Ta)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252, (D-Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)