FDB9409-F085

Fairchild Semiconductor

FDB9409-F085

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2980 pF @ 25 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung94W (Tj)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)