FDB8896-F085

Fairchild Semiconductor

FDB8896-F085

Analog & Leistungselektronik

19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2525 pF @ 15 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 93A (Tc)
Max. Verlustleistung80W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)