FCP165N65S3R0

Fairchild Semiconductor

FCP165N65S3R0

Analog & Leistungselektronik

FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs165mOhm @ 9.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 400 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSuperFET® III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 440mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)
Max. Verlustleistung154W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)