Allgemein
| Hersteller | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100mA, 1A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 30 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-126-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|