EM6OE08NW9A-07H

Etron Technology, Inc

EM6OE08NW9A-07H

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA

Aktiv78-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR4
Zugriffszeit18 ns
Basis-TeilenummerEM6OE08
HerstellerEtron Technology, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfacePOD
Taktfrequenz1.333 GHz
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.26V
Memory Organization512M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case78-TFBGA
Hersteller-Gehäuse78-FBGA (7.5x10.6)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~95°C(TC)