Etron Technology, Inc

EM63B165TS-5SG

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

Aktiv54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Speichertyp	Volatile
Technologie	SDRAM
Zugriffszeit	4.5 ns
Basis-Teilenummer	EM63B165
Hersteller	Etron Technology, Inc.
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Schreibzykluszeit	10ns

Elektrisch

Speichergröße	512Mbit
Speicherformat	DRAM
Memory Interface	Parallel
Taktfrequenz	200 MHz
Versorgungsspannung	3V ~ 3.6V
Memory Organization	32M x 16

Mechanisch

Gehäuse	Tape & Reel (TR)
Package / Case	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Hersteller-Gehäuse	54-TSOP II

Umwelt

Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)