FBG04N30BC

EPC Space, LLC

FBG04N30BC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

Aktiv4-SMD, No LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 20 V
HerstellerEPC Space, LLC
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieFSMD-B
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 9mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case4-SMD, No Lead
Hersteller-Gehäuse4-SMD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)