EPC2212

EPC

EPC2212

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET N-CH 100V 18A DIE

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 11A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds407 pF @ 50 V
HerstellerEPC
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieeGaN®
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 3mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)