EPC2111

EPC

EPC2111

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Basis-TeilenummerEPC211
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 590pF @ 15V
HerstellerEPC
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)