EPC2110ENGRT

EPC

EPC2110ENGRT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4A, 5V
Basis-TeilenummerEPC211
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 60V
HerstellerEPC
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieeGaN®
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 700µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)