EPC2105ENGRT

EPC

EPC2105ENGRT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE

AbgekündigtDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V
Basis-TeilenummerEPC210
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 40V
HerstellerEPC
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieeGaN®
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)