EPC2039

EPC

EPC2039

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 6A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds210 pF @ 40 V
HerstellerEPC
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieeGaN®
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)