EPC2015C

EPC

EPC2015C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET N-CH 40V 53A DIE

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 33A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1180 pF @ 20 V
HerstellerEPC
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieeGaN®
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 9mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)