MMFTN123

Diotec Semiconductor

MMFTN123

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET, SOT-23, 100V, 0.17A, N

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 170mA, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds73 pF @ 25 V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170mA (Ta)
Max. Verlustleistung360mW

Mechanisch

GehäuseStrip
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)