EGL1B

Diotec Semiconductor

EGL1B

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AA

AktivDO-213AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDO-213AA
Hersteller-GehäuseDO-213AA, MINI-MELF

Umwelt

Operating Temperature - Junction-50°C ~ 175°C