DI4A7P06SQ2

Diotec Semiconductor

DI4A7P06SQ2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5A, 10V
Konfiguration2 P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds525pF @ 30V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta)
Power - Max3W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101