DI2A8N03PWK2-AQ

Diotec Semiconductor

DI2A8N03PWK2-AQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 5A, 1

Obsolet6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 2A, 4.5V
Konfiguration2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds387pF @ 15V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Power - Max1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-QFN (2x2)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101