DI110N06D1

Diotec Semiconductor

DI110N06D1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4211 pF @ 30 V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Max. Verlustleistung71W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA (DPAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)