DI0A4N45SQ2

Diotec Semiconductor

DI0A4N45SQ2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET SO-8 N 450V 4.5OHM 150C

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 400mA, 10V
Konfiguration2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101