DI0A35N06PGK-AQ

Diotec Semiconductor

DI0A35N06PGK-AQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1

AktivSC-101, SOT-883Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds32 pF @ 25 V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA
Max. Verlustleistung223mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101