DI080N06PQ

Diotec Semiconductor

DI080N06PQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 30 V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung80W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-QFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)