DI065N06PT

Diotec Semiconductor

DI065N06PT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 65A

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1617 pF @ 30 V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Max. Verlustleistung39W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-QFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)