DI050P02PT

Diotec Semiconductor

DI050P02PT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET, PowerQFN 3x3, -20V, -50A

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4596 pF @ 10 V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Max. Verlustleistung35.7W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-QFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)