DI030N03D1

Diotec Semiconductor

DI030N03D1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds940 pF @ 15 V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252 (DPAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)