DI010N03PW

Diotec Semiconductor

DI010N03PW

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0

Aktiv8-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1120 pF @ 15 V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Max. Verlustleistung1.4W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerUDFN
Hersteller-Gehäuse8-QFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)