DI006H03SQ

Diotec Semiconductor

DI006H03SQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET SO8 N+P 30V 0.025OHM 150C

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Konfiguration2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 15V, 631pF @ 15V
HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 4.2A (Ta)
Power - Max1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101