BY6

Diotec Semiconductor

BY6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 6KV 1A AXIAL

AktivAxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerDiotec Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)1.5 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)6000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If6 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 6 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseAxial
Hersteller-GehäuseAxial

Umwelt

Operating Temperature - Junction-50°C ~ 150°C