ZXMN7A11GQTA

Diodes Incorporated

ZXMN7A11GQTA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&

AktivTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 4.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds298 pF @ 50 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung70 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSOT-223

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)